Diskrete Halbleiter
Zusammenfassung
Übersicht über die im Fundus vorhandenen diskreten Halbleiter anhand ihrer Datenblätter: Bipolar-Transistoren (Kleinleistung bis Leistung), Low-Voltage-MOSFETs (Logic-Level) sowie Zener-, Schottky-/Leistungsdioden – mit den wichtigsten Grenzwerten und Kenndaten.
Inhalt
Bipolar-Transistoren (NPN)
- BC546/547/548/549/550 (ON Semi, TO-92): Kleinsignal-NPN; BC547: VCEO 45 V (BC546 = 65 V), IC max 100 mA, PC 500 mW; hFE-Gruppen A 110–220 / B 200–450 / C 420–800 (@ VCE = 5 V, IC = 2 mA); VCE(sat) typ. 90–250 mV; fT typ. 300 MHz; Cob ~3,5 pF; Rauschzahl ab 1,2 dB (BC549/550). Universell für Vorstufen.
- TIP41A/B/C-G (ON Semi, TO-220, komplementär TIP42 = PNP): Leistungs-NPN 6 A/65 W @ TC = 25 °C (Derating 0,52 W/°C); VCEO je Variante G/A/B/C = 40/60/80/100 V; hFE 15–75 @ 3 A; VCE(sat) ≤ 1,5 V @ 6 A; fT ≥ 3 MHz; TJ −65…+150 °C; ungeklemmte induktive Energie 62,5 mJ. Für Endstufen und Schaltanwendungen.
- MJD243/MJD253 (ON Semi, IPAK/DPAK-3): komplementäres NPN/PNP-Leistungspaar für Niederspannungs-Audio-Endstufen; VCEO(sus) 100 V, IC 4 A (8 A peak), PD 12,5 W @ TC (1,4 W @ TA); hFE 40–180 @ 200 mA, min. 15 @ 1 A; niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat) ≤ 0,3 V @ 0,5 A); fT ≥ 40 MHz. (Hinweis: kein Darlington – normale Bipolarstruktur mit hoher Verstärkung.)
MOSFETs (n-Kanal)
- IRF530NPBF (Vishay HEXFET, TO-220): VDSS 100 V, ID 17 A @ TC = 25 °C (12 A @ 100 °C), RDS(on) ≤ 90 mΩ @ VGS = 10 V; VGS(th) 2–4 V; Qg typ. 37 nC, Qgd 11 nC; Ciss ~920 pF; voll avalanche-fest (EAS 340 mJ); Body-Diode trr ≤ 140 ns; TJ −55…+175 °C.
- FQP13N06L (Fairchild/ON, QFET): Logic-Level-MOSFET, 60 V, 13,6 A, RDS(on) max. 110 mΩ @ VGS = 10 V und max. 140 mΩ bereits @ VGS = 5 V; VGS(th) 1,0–2,5 V; gFS ~7 S – direkt aus Logik (5 V) ansteuerbar, z. B. Motor-PWM.
- FQPF13N06L (gleicher Chip-Typ, TO-220F-Vollkunststoffgehäuse): 60 V, 10 A, RDS(on) max. 110 mΩ @ VGS = 10 V (Teststrom 5 A); isolierter Tab erleichtert Montage am gekühlten Chassis.
Dioden
- 1N4737A (ON Semi, 1-W-Serie 1N4728A–1N4758A): Zener 7,5 V ±5 % (7,125–7,875 V) @ IZT = 34 mA; Zz ≤ 34 Ω @ IZT; IZSM 605 mA; Leckstrom ≤ 10 µA @ VR = 5 V; PD 1 W @ TL = 50 °C (Derating 6,67 mW/°C). Referenz/Klemmung.
- 1N5333B (ON Semi, 5-W-Serie 1N5333B–1N5388B): Zener 3,3 V ±5 % @ IZT = 380 mA; Zz nur 3 Ω; IZM max. 1440 mA; Surge bis 180 W @ 8,3 ms; ESD Class 3 (>16 kV HBM); Serie 3,3–200 V. Für Referenz/Shunt-Regler mit höherer Leistung.
- MBRF10H150CTG (ON Semi, „Leistungsdioden.pdf”): Schottky-Gleichrichter im TO-220 FullPAK; VRRM 150 V, IF(AV) 2×5 A (Center-Tap); VF typ. 0,85 V @ 5 A/25 °C (0,69 V max. @ 125 °C); IFSM 150 A; dv/dt-fest bis 10000 V/ms; für Gleichrichtung/Freilauf in Schaltnetzteilen.
Quellen
- je Bauteil: Pfad wie oben in
source(Datenblätter)